HPD4004STA Todos los transistores

 

HPD4004STA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HPD4004STA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 108 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 411 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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HPD4004STA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:770K  cn haohai electr
 hpd4004sta.pdf pdf_icon

HPD4004STA

HPD4004STA40V, 120AProduct SummaryN-channel Enhancement Mode Power MOSFETVDSRDS(ON)

 8.1. Size:168K  cn haohai electr
 hpd4006cta hpb400n06cta hpp400n06cta.pdf pdf_icon

HPD4004STA

HPD4006CTATO-252HPB400N06CTATO-263HAOHAI ELECTRONICSHPP400N06CTATO-220Product Summary27A, 60VVDS60 VN-CHANNEL POWER MOSFETRDS(ON) Max.40 mFeaturesAdvanced process technologyID27 AUltra low On-Resistance175 OperatingTemperatureFast Switching2.DrainRepetitiveAvalancheAllowed up toTjmaxLead-Free221.Gate1 1123 33TO-2

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History: AP50T10GH-HF | HGA098N10A | PMN20ENA

 

 
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