HPD4004STA Todos los transistores

 

HPD4004STA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HPD4004STA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 108 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 411 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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HPD4004STA PDF Specs

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HPD4004STA

HPD4004STA 40V, 120A Product Summary N-channel Enhancement Mode Power MOSFET VDS RDS(ON)... See More ⇒

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HPD4004STA

HPD4006CTA TO-252 HPB400N06CTA TO-263 HAOHAI ELECTRONICS HPP400N06CTA TO-220 Product Summary 27A, 60V VDS 60 V N-CHANNEL POWER MOSFET RDS(ON) Max. 40 m Features Advanced process technology ID 27 A Ultra low On-Resistance 175 OperatingTemperature Fast Switching 2.Drain RepetitiveAvalancheAllowed up toTjmax Lead-Free 2 2 1.Gate 1 1 1 2 3 3 3 TO-2... See More ⇒

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