HPD4004STA Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HPD4004STA  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 108 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 411 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm

Encapsulados: TO-252

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HPD4004STA datasheet

 ..1. Size:770K  cn haohai electr
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HPD4004STA

HPD4004STA 40V, 120A Product Summary N-channel Enhancement Mode Power MOSFET VDS RDS(ON)

 8.1. Size:168K  cn haohai electr
 hpd4006cta hpb400n06cta hpp400n06cta.pdf pdf_icon

HPD4004STA

HPD4006CTA TO-252 HPB400N06CTA TO-263 HAOHAI ELECTRONICS HPP400N06CTA TO-220 Product Summary 27A, 60V VDS 60 V N-CHANNEL POWER MOSFET RDS(ON) Max. 40 m Features Advanced process technology ID 27 A Ultra low On-Resistance 175 OperatingTemperature Fast Switching 2.Drain RepetitiveAvalancheAllowed up toTjmax Lead-Free 2 2 1.Gate 1 1 1 2 3 3 3 TO-2

Otros transistores... HPB068NE7STA, HPD025N03STA, HPD026N02STA, HPD032N02STA, HPD045N03CTA, HPP045N03CTA, HPD160N06STA, HPD180PNE1DTA, IRF640N, HPD4006CTA, HPB400N06CTA, HPP400N06CTA, HPM2301, HPM2305, HPM2623, HPM3401, HPM3401A