Справочник MOSFET. HPD4004STA

 

HPD4004STA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HPD4004STA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 108 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 411 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для HPD4004STA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HPD4004STA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:770K  cn haohai electr
 hpd4004sta.pdf pdf_icon

HPD4004STA

HPD4004STA40V, 120AProduct SummaryN-channel Enhancement Mode Power MOSFETVDSRDS(ON)

 8.1. Size:168K  cn haohai electr
 hpd4006cta hpb400n06cta hpp400n06cta.pdf pdf_icon

HPD4004STA

HPD4006CTATO-252HPB400N06CTATO-263HAOHAI ELECTRONICSHPP400N06CTATO-220Product Summary27A, 60VVDS60 VN-CHANNEL POWER MOSFETRDS(ON) Max.40 mFeaturesAdvanced process technologyID27 AUltra low On-Resistance175 OperatingTemperatureFast Switching2.DrainRepetitiveAvalancheAllowed up toTjmaxLead-Free221.Gate1 1123 33TO-2

Другие MOSFET... HPB068NE7STA , HPD025N03STA , HPD026N02STA , HPD032N02STA , HPD045N03CTA , HPP045N03CTA , HPD160N06STA , HPD180PNE1DTA , IRF3710 , HPD4006CTA , HPB400N06CTA , HPP400N06CTA , HPM2301 , HPM2305 , HPM2623 , HPM3401 , HPM3401A .

History: IRF4104SPBF | IXTH3N150 | FDFME3N311ZT | IPD14N06S2-80

 

 
Back to Top

 


 
.