HPM2301 Todos los transistores

 

HPM2301 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HPM2301
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.12 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

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HPM2301 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:235K  cn haohai electr
 hpm2301.pdf pdf_icon

HPM2301

HPM2301P-Channel MOSFETs-2.8A,-20VP P HPM2301P-Channel Enhancement-Mode MOS FETsP-ChannelEnhancementFeaturesMode MOS FETs-20V, -2.8A, RDS(ON)=100m @ VGS=-10VHigh dense cell design for extremely low RDS(ON)Rugged and reliableLea

 8.1. Size:282K  cn haohai electr
 hpm2305.pdf pdf_icon

HPM2301

HPM2305P-Channel MOSFETs-3.9A,-20VP P HPM2305P-Channel Enhancement-Mode MOS FETs SMDP-ChannelEnhancementFeaturesMode MOS FETs-20V, -3.9A, RDS(ON)=55m @ VGS=-4.5VHigh dense cell design for extremely low RDS(ON)Rugged and reliable

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History: 2SK2619 | PSMN7R8-120ES | SQA401EJ | NTMD6N04R2 | HFS830 | STP45N60DM6 | ALD1101APAL

 

 
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