HPM2301 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: HPM2301
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.9 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
Аналог (замена) для HPM2301
HPM2301 Datasheet (PDF)
hpm2301.pdf

HPM2301P-Channel MOSFETs-2.8A,-20VP P HPM2301P-Channel Enhancement-Mode MOS FETsP-ChannelEnhancementFeaturesMode MOS FETs-20V, -2.8A, RDS(ON)=100m @ VGS=-10VHigh dense cell design for extremely low RDS(ON)Rugged and reliableLea
hpm2305.pdf

HPM2305P-Channel MOSFETs-3.9A,-20VP P HPM2305P-Channel Enhancement-Mode MOS FETs SMDP-ChannelEnhancementFeaturesMode MOS FETs-20V, -3.9A, RDS(ON)=55m @ VGS=-4.5VHigh dense cell design for extremely low RDS(ON)Rugged and reliable
Другие MOSFET... HPD045N03CTA , HPP045N03CTA , HPD160N06STA , HPD180PNE1DTA , HPD4004STA , HPD4006CTA , HPB400N06CTA , HPP400N06CTA , IRFB4110 , HPM2305 , HPM2623 , HPM3401 , HPM3401A , HPM3415 , HPMB84A , HPP080NE5SPA , HPP120N08STA .
History: HM2318B | 2SK762 | NTMFS5C628NLT1G
History: HM2318B | 2SK762 | NTMFS5C628NLT1G



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
mpsa13 transistor equivalent | кт817г характеристики | 2sc1972 | 2n5088 transistor equivalent | 2n5884 | bc640 | 2sc756 | oc44 transistor datasheet