HPM2301 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: HPM2301
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.9 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
Аналог (замена) для HPM2301
HPM2301 Datasheet (PDF)
hpm2301.pdf
HPM2301P-Channel MOSFETs-2.8A,-20VP P HPM2301P-Channel Enhancement-Mode MOS FETsP-ChannelEnhancementFeaturesMode MOS FETs-20V, -2.8A, RDS(ON)=100m @ VGS=-10VHigh dense cell design for extremely low RDS(ON)Rugged and reliableLea
hpm2305.pdf
HPM2305P-Channel MOSFETs-3.9A,-20VP P HPM2305P-Channel Enhancement-Mode MOS FETs SMDP-ChannelEnhancementFeaturesMode MOS FETs-20V, -3.9A, RDS(ON)=55m @ VGS=-4.5VHigh dense cell design for extremely low RDS(ON)Rugged and reliable
Другие MOSFET... HPD045N03CTA , HPP045N03CTA , HPD160N06STA , HPD180PNE1DTA , HPD4004STA , HPD4006CTA , HPB400N06CTA , HPP400N06CTA , AON6414A , HPM2305 , HPM2623 , HPM3401 , HPM3401A , HPM3415 , HPMB84A , HPP080NE5SPA , HPP120N08STA .
History: VS1606GS | FCPF190N65S3R0L | NCEP85T15 | 2SK804 | CS16N65W | BSR606N
History: VS1606GS | FCPF190N65S3R0L | NCEP85T15 | 2SK804 | CS16N65W | BSR606N
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM406MNQ | AGM406MNA | AGM406MBQ | AGM406MBP | AGM406AP | AGM405Q | AGM405MNA | AGM405MBP | AGM405F | AGM405DG | AGM405D | AGM405AP2 | AGM405AP1 | AGM405A | AGM404Q | AGM404D
Popular searches
mpsa13 transistor equivalent | кт817г характеристики | 2sc1972 | 2n5088 transistor equivalent | 2n5884 | bc640 | 2sc756 | oc44 transistor datasheet



