HPM2301 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: HPM2301
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.9 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
Аналог (замена) для HPM2301
HPM2301 Datasheet (PDF)
hpm2301.pdf

HPM2301P-Channel MOSFETs-2.8A,-20VP P HPM2301P-Channel Enhancement-Mode MOS FETsP-ChannelEnhancementFeaturesMode MOS FETs-20V, -2.8A, RDS(ON)=100m @ VGS=-10VHigh dense cell design for extremely low RDS(ON)Rugged and reliableLea
hpm2305.pdf

HPM2305P-Channel MOSFETs-3.9A,-20VP P HPM2305P-Channel Enhancement-Mode MOS FETs SMDP-ChannelEnhancementFeaturesMode MOS FETs-20V, -3.9A, RDS(ON)=55m @ VGS=-4.5VHigh dense cell design for extremely low RDS(ON)Rugged and reliable
Другие MOSFET... HPD045N03CTA , HPP045N03CTA , HPD160N06STA , HPD180PNE1DTA , HPD4004STA , HPD4006CTA , HPB400N06CTA , HPP400N06CTA , IRFB4110 , HPM2305 , HPM2623 , HPM3401 , HPM3401A , HPM3415 , HPMB84A , HPP080NE5SPA , HPP120N08STA .
History: AP6679GP-A | HGA320N20S | SFF140-28 | 50N30C | LSGG04R028 | APT47M60J | 2SJ105
History: AP6679GP-A | HGA320N20S | SFF140-28 | 50N30C | LSGG04R028 | APT47M60J | 2SJ105



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
mpsa13 transistor equivalent | кт817г характеристики | 2sc1972 | 2n5088 transistor equivalent | 2n5884 | bc640 | 2sc756 | oc44 transistor datasheet