HPM3401A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HPM3401A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-23
Búsqueda de reemplazo de HPM3401A MOSFET
Principales características: HPM3401A
hpm3401a.pdf
HPM3401A P-Channel MOSFETs -4.2A,-30V P P HPM3401A P-Channel Enhancement-Mode MOS FETs P-Channel Enhancement Features Mode MOS FETs -30V, -4.2A, RDS(ON)=53m @ VGS=-4.5V High dense cell design for extremely low RDS(ON) Rugged and reliable Le
hpm3401.pdf
HPM3401 P-Channel MOSFETs -3.8A,-30V P P HPM3401 P-Channel Enhancement-Mode MOS FETs P-Channel Enhancement Features Mode MOS FETs -30V, -3.8A, RDS(ON)=50m @ VGS=-10V High dense cell design for extremely low RDS(ON) Rugged and reliable Lead f
hpm3415.pdf
HPM3415 P-Channel MOSFETs -4.0A,-30V P P HPM3415 P-Channel Enhancement-Mode MOS FETs P-Channel Enhancement Features Mode MOS FETs -20V, -4.0A, RDS(ON)=35m @ VGS=-4.5V High dense cell design for extremely low RDS(ON) Rugged and reliable Lea
Otros transistores... HPD4004STA , HPD4006CTA , HPB400N06CTA , HPP400N06CTA , HPM2301 , HPM2305 , HPM2623 , HPM3401 , 8205A , HPM3415 , HPMB84A , HPP080NE5SPA , HPP120N08STA , HPW080NE5SPA , HPW750N20SPA , HQB7N65C , HQF7N65C .
History: 25N10
History: 25N10
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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