HPM3401A - описание и поиск аналогов

 

Аналоги HPM3401A. Основные параметры


   Наименование производителя: HPM3401A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для HPM3401A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HPM3401A даташит

 ..1. Size:282K  cn haohai electr
 hpm3401a.pdf pdf_icon

HPM3401A

HPM3401A P-Channel MOSFETs -4.2A,-30V P P HPM3401A P-Channel Enhancement-Mode MOS FETs P-Channel Enhancement Features Mode MOS FETs -30V, -4.2A, RDS(ON)=53m @ VGS=-4.5V High dense cell design for extremely low RDS(ON) Rugged and reliable Le

 7.1. Size:283K  cn haohai electr
 hpm3401.pdf pdf_icon

HPM3401A

HPM3401 P-Channel MOSFETs -3.8A,-30V P P HPM3401 P-Channel Enhancement-Mode MOS FETs P-Channel Enhancement Features Mode MOS FETs -30V, -3.8A, RDS(ON)=50m @ VGS=-10V High dense cell design for extremely low RDS(ON) Rugged and reliable Lead f

 9.1. Size:282K  cn haohai electr
 hpm3415.pdf pdf_icon

HPM3401A

HPM3415 P-Channel MOSFETs -4.0A,-30V P P HPM3415 P-Channel Enhancement-Mode MOS FETs P-Channel Enhancement Features Mode MOS FETs -20V, -4.0A, RDS(ON)=35m @ VGS=-4.5V High dense cell design for extremely low RDS(ON) Rugged and reliable Lea

Другие MOSFET... HPD4004STA , HPD4006CTA , HPB400N06CTA , HPP400N06CTA , HPM2301 , HPM2305 , HPM2623 , HPM3401 , 8205A , HPM3415 , HPMB84A , HPP080NE5SPA , HPP120N08STA , HPW080NE5SPA , HPW750N20SPA , HQB7N65C , HQF7N65C .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.