Справочник MOSFET. HPM3401A

 

HPM3401A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HPM3401A
   Маркировка: X1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23

 Аналог (замена) для HPM3401A

 

 

HPM3401A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:282K  cn haohai electr
 hpm3401a.pdf

HPM3401A HPM3401A

HPM3401AP-Channel MOSFETs-4.2A,-30VPP HPM3401AP-Channel Enhancement-Mode MOS FETsP-ChannelEnhancementFeaturesMode MOS FETs-30V, -4.2A, RDS(ON)=53m @ VGS=-4.5VHigh dense cell design for extremely low RDS(ON)Rugged and reliableLe

 7.1. Size:283K  cn haohai electr
 hpm3401.pdf

HPM3401A HPM3401A

HPM3401P-Channel MOSFETs-3.8A,-30VP PHPM3401P-Channel Enhancement-Mode MOS FETsP-ChannelEnhancementFeaturesMode MOS FETs-30V, -3.8A, RDS(ON)=50m @ VGS=-10VHigh dense cell design for extremely low RDS(ON)Rugged and reliableLead f

 9.1. Size:282K  cn haohai electr
 hpm3415.pdf

HPM3401A HPM3401A

HPM3415P-Channel MOSFETs-4.0A,-30VP P HPM3415P-Channel Enhancement-Mode MOS FETsP-ChannelEnhancementFeaturesMode MOS FETs-20V, -4.0A, RDS(ON)=35m @ VGS=-4.5VHigh dense cell design for extremely low RDS(ON)Rugged and reliableLea

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: BLS6G3135-120

 

 
Back to Top