HPP080NE5SPA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HPP080NE5SPA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 68 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 670 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HPP080NE5SPA
HPP080NE5SPA Datasheet (PDF)
hpp080ne5spa.pdf
HAOHAI ELECTRONICS HPP080NE5SPAProduct Summary110A, 55VVDS55 VN-CHANNEL POWER MOSFETRDS(ON) Max.8.0 mFeaturesAdvanced process technologyID110 AUltra low On-Resistance175 OperatingTemperatureFast Switching2.DrainRepetitiveAvalancheAllowed up toTjmaxLead-Free1.GateTO-220C123.Source3ORDERING INFORMATIONPin AssignmentPackingOrder Number P
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History: HPM3401A | IRF5305 | RUH85230S | HPM2305 | HPB400N06CTA | HQB7N65C | 40600
History: HPM3401A | IRF5305 | RUH85230S | HPM2305 | HPB400N06CTA | HQB7N65C | 40600
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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