HPP080NE5SPA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HPP080NE5SPA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 68 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 670 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de HPP080NE5SPA MOSFET
HPP080NE5SPA Datasheet (PDF)
hpp080ne5spa.pdf

HAOHAI ELECTRONICS HPP080NE5SPAProduct Summary110A, 55VVDS55 VN-CHANNEL POWER MOSFETRDS(ON) Max.8.0 mFeaturesAdvanced process technologyID110 AUltra low On-Resistance175 OperatingTemperatureFast Switching2.DrainRepetitiveAvalancheAllowed up toTjmaxLead-Free1.GateTO-220C123.Source3ORDERING INFORMATIONPin AssignmentPackingOrder Number P
Otros transistores... HPP400N06CTA , HPM2301 , HPM2305 , HPM2623 , HPM3401 , HPM3401A , HPM3415 , HPMB84A , 7N65 , HPP120N08STA , HPW080NE5SPA , HPW750N20SPA , HQB7N65C , HQF7N65C , IRFD24N , NCE01ND03S , NCE020N30K .
History: SD8901CY | 2SJ465 | WMO13P06T1
History: SD8901CY | 2SJ465 | WMO13P06T1



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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