HPP080NE5SPA - описание и поиск аналогов

 

HPP080NE5SPA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HPP080NE5SPA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 68 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 670 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для HPP080NE5SPA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HPP080NE5SPA даташит

 ..1. Size:329K  cn haohai electr
 hpp080ne5spa.pdf pdf_icon

HPP080NE5SPA

HAOHAI ELECTRONICS HPP080NE5SPA Product Summary 110A, 55V VDS 55 V N-CHANNEL POWER MOSFET RDS(ON) Max. 8.0 m Features Advanced process technology ID 110 A Ultra low On-Resistance 175 OperatingTemperature Fast Switching 2.Drain RepetitiveAvalancheAllowed up toTjmax Lead-Free 1.Gate TO-220C 1 2 3.Source 3 ORDERING INFORMATION Pin Assignment Packing Order Number P

Другие MOSFET... HPP400N06CTA , HPM2301 , HPM2305 , HPM2623 , HPM3401 , HPM3401A , HPM3415 , HPMB84A , IRF630 , HPP120N08STA , HPW080NE5SPA , HPW750N20SPA , HQB7N65C , HQF7N65C , IRFD24N , NCE01ND03S , NCE020N30K .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.