Справочник MOSFET. HPP080NE5SPA

 

HPP080NE5SPA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HPP080NE5SPA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 68 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 670 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для HPP080NE5SPA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HPP080NE5SPA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:329K  cn haohai electr
 hpp080ne5spa.pdf pdf_icon

HPP080NE5SPA

HAOHAI ELECTRONICS HPP080NE5SPAProduct Summary110A, 55VVDS55 VN-CHANNEL POWER MOSFETRDS(ON) Max.8.0 mFeaturesAdvanced process technologyID110 AUltra low On-Resistance175 OperatingTemperatureFast Switching2.DrainRepetitiveAvalancheAllowed up toTjmaxLead-Free1.GateTO-220C123.Source3ORDERING INFORMATIONPin AssignmentPackingOrder Number P

Другие MOSFET... HPP400N06CTA , HPM2301 , HPM2305 , HPM2623 , HPM3401 , HPM3401A , HPM3415 , HPMB84A , 7N65 , HPP120N08STA , HPW080NE5SPA , HPW750N20SPA , HQB7N65C , HQF7N65C , IRFD24N , NCE01ND03S , NCE020N30K .

History: CPC5602C | 2SK960

 

 
Back to Top

 


 
.