HPP120N08STA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HPP120N08STA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 170 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 79 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 420 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0094 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HPP120N08STA

HPP120N08STA Datasheet (PDF)

..1. Size:637K cn haohai electr
hpp120n08sta.pdf

HPP120N08STAProduct Summary80V 70A N-CHANNEL POWER MOSFETVDS80 VFeaturesAdvanced Process TechnologyRDS(ON) Max.12 mUltra Low On-ResistanceDynamic dv/dt RatingID70 A175 Operating TemperatureFast SwitchingRepetitive Avalanche Allowed up to Tjmax 2.DrainLead-Free1.GateGDSMarking TO-2203.SourceORDERING INFORMATIONPin AssignmentPacking

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: HPM3401A | IRF5305 | RUH85230S | HPM2305 | HPB400N06CTA | HQB7N65C | 40600

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: