HPP120N08STA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HPP120N08STA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 170 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 79 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 420 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0094 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
- Selección de transistores por parámetros
HPP120N08STA Datasheet (PDF)
hpp120n08sta.pdf

HPP120N08STAProduct Summary80V 70A N-CHANNEL POWER MOSFETVDS80 VFeaturesAdvanced Process TechnologyRDS(ON) Max.12 mUltra Low On-ResistanceDynamic dv/dt RatingID70 A175 Operating TemperatureFast SwitchingRepetitive Avalanche Allowed up to Tjmax 2.DrainLead-Free1.GateGDSMarking TO-2203.SourceORDERING INFORMATIONPin AssignmentPacking
Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
History: BLP039N08-P | IXFK48N50Q | FQD5N15TF | 2N7064 | SVF4N60CAF | APT6025BVR | IXFH20N85X
History: BLP039N08-P | IXFK48N50Q | FQD5N15TF | 2N7064 | SVF4N60CAF | APT6025BVR | IXFH20N85X



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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