HPP120N08STA Todos los transistores

 

HPP120N08STA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HPP120N08STA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 170 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 79 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 420 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0094 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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HPP120N08STA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:637K  cn haohai electr
 hpp120n08sta.pdf pdf_icon

HPP120N08STA

HPP120N08STAProduct Summary80V 70A N-CHANNEL POWER MOSFETVDS80 VFeaturesAdvanced Process TechnologyRDS(ON) Max.12 mUltra Low On-ResistanceDynamic dv/dt RatingID70 A175 Operating TemperatureFast SwitchingRepetitive Avalanche Allowed up to Tjmax 2.DrainLead-Free1.GateGDSMarking TO-2203.SourceORDERING INFORMATIONPin AssignmentPacking

Otros transistores... HPM2301 , HPM2305 , HPM2623 , HPM3401 , HPM3401A , HPM3415 , HPMB84A , HPP080NE5SPA , AO3400 , HPW080NE5SPA , HPW750N20SPA , HQB7N65C , HQF7N65C , IRFD24N , NCE01ND03S , NCE020N30K , NCE025N30G .

History: 2SK1762 | HFB1N65S | FDPF5N60NZ | 2SJ419 | IPAN60R180P7S | IPP80N06S2-07 | 2SK785

 

 
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