Справочник MOSFET. HPP120N08STA

 

HPP120N08STA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HPP120N08STA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 170 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 79 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0094 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для HPP120N08STA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HPP120N08STA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:637K  cn haohai electr
 hpp120n08sta.pdf pdf_icon

HPP120N08STA

HPP120N08STAProduct Summary80V 70A N-CHANNEL POWER MOSFETVDS80 VFeaturesAdvanced Process TechnologyRDS(ON) Max.12 mUltra Low On-ResistanceDynamic dv/dt RatingID70 A175 Operating TemperatureFast SwitchingRepetitive Avalanche Allowed up to Tjmax 2.DrainLead-Free1.GateGDSMarking TO-2203.SourceORDERING INFORMATIONPin AssignmentPacking

Другие MOSFET... HPM2301 , HPM2305 , HPM2623 , HPM3401 , HPM3401A , HPM3415 , HPMB84A , HPP080NE5SPA , K3569 , HPW080NE5SPA , HPW750N20SPA , HQB7N65C , HQF7N65C , IRFD24N , NCE01ND03S , NCE020N30K , NCE025N30G .

History: SRC4N65DTR | SL8N100T | VBZM80N10 | 2SK3645-01MR | IRFS3307ZPBF | TK6Q65W | STF28N60DM2

 

 
Back to Top

 


 
.