HPW080NE5SPA Todos los transistores

 

HPW080NE5SPA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HPW080NE5SPA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 670 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247AC
 

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Principales características: HPW080NE5SPA

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HPW080NE5SPA

HAOHAI ELECTRONICS HPW080NE5SPA Product Summary 110A, 55V VDS 55 V N-CHANNEL POWER MOSFET RDS(ON) Max. 8.0 m Features Advanced process technology ID 110 A Ultra low On-Resistance 175 OperatingTemperature Fast Switching 2.Drain RepetitiveAvalancheAllowed up toTjmax Lead-Free 1.Gate 1 2 TO-247AC 3 3.Source ORDERING INFORMATION Pin Assignment Packing Order Number

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