HPW080NE5SPA Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HPW080NE5SPA  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 55 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 670 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm

Encapsulados: TO-247AC

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HPW080NE5SPA datasheet

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HPW080NE5SPA

HAOHAI ELECTRONICS HPW080NE5SPA Product Summary 110A, 55V VDS 55 V N-CHANNEL POWER MOSFET RDS(ON) Max. 8.0 m Features Advanced process technology ID 110 A Ultra low On-Resistance 175 OperatingTemperature Fast Switching 2.Drain RepetitiveAvalancheAllowed up toTjmax Lead-Free 1.Gate 1 2 TO-247AC 3 3.Source ORDERING INFORMATION Pin Assignment Packing Order Number

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