Справочник MOSFET. HPW080NE5SPA

 

HPW080NE5SPA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HPW080NE5SPA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 670 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: TO-247AC
 

 Аналог (замена) для HPW080NE5SPA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HPW080NE5SPA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:365K  cn haohai electr
 hpw080ne5spa.pdf pdf_icon

HPW080NE5SPA

HAOHAI ELECTRONICS HPW080NE5SPAProduct Summary110A, 55VVDS55 VN-CHANNEL POWER MOSFETRDS(ON) Max.8.0 mFeaturesAdvanced process technologyID110 AUltra low On-Resistance175 OperatingTemperatureFast Switching2.DrainRepetitiveAvalancheAllowed up toTjmaxLead-Free1.Gate12TO-247AC33.SourceORDERING INFORMATIONPin AssignmentPackingOrder Number

Другие MOSFET... HPM2305 , HPM2623 , HPM3401 , HPM3401A , HPM3415 , HPMB84A , HPP080NE5SPA , HPP120N08STA , 2N7000 , HPW750N20SPA , HQB7N65C , HQF7N65C , IRFD24N , NCE01ND03S , NCE020N30K , NCE025N30G , NCE025N30K .

History: SHD231006 | AO4705

 

 
Back to Top

 


 
.