HPW080NE5SPA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HPW080NE5SPA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 35 nC
trⓘ - Время нарастания: 50 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 670 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
Тип корпуса: TO-247AC
Аналог (замена) для HPW080NE5SPA
HPW080NE5SPA Datasheet (PDF)
hpw080ne5spa.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
HAOHAI ELECTRONICS HPW080NE5SPAProduct Summary110A, 55VVDS55 VN-CHANNEL POWER MOSFETRDS(ON) Max.8.0 mFeaturesAdvanced process technologyID110 AUltra low On-Resistance175 OperatingTemperatureFast Switching2.DrainRepetitiveAvalancheAllowed up toTjmaxLead-Free1.Gate12TO-247AC33.SourceORDERING INFORMATIONPin AssignmentPackingOrder Number
Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , 7N60 , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .
![HPW080NE5SPA](https://alltransistors.com/images/us.png)
![HPW080NE5SPA](https://alltransistors.com/images/es.png)
![HPW080NE5SPA](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DAMIA1100N100 | DAMI660N60 | DAMI560N100 | DAMI500N60 | DAMI450N100 | DAMI360N150 | DAMI330N60 | DAMI320N100 | DAMI300N150 | DAMI280N200 | DAMI220N200 | DAMI220N150 | DAMI160N200 | DAMI160N100 | DAMH75N500H | DAMH560N100