HPW750N20SPA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HPW750N20SPA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 420 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.075 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-247AC
Búsqueda de reemplazo de HPW750N20SPA MOSFET
HPW750N20SPA Datasheet (PDF)
hpw750n20spa.pdf

HAOHAI ELECTRONICS HPW750N20SPAProduct Summary35A, 200VVDS200 VN-CHANNEL POWER MOSFETRDS(ON) Max.75 mFeaturesAdvanced process technologyID35 AUltra low On-Resistance175 OperatingTemperatureFast Switching2.DrainRepetitiveAvalancheAllowed up toTjmaxLead-Free1.Gate12TO-247AC33.SourceORDERING INFORMATIONPin AssignmentPackingOrder Number P
Otros transistores... HPM2623 , HPM3401 , HPM3401A , HPM3415 , HPMB84A , HPP080NE5SPA , HPP120N08STA , HPW080NE5SPA , IRFP260 , HQB7N65C , HQF7N65C , IRFD24N , NCE01ND03S , NCE020N30K , NCE025N30G , NCE025N30K , NCE035N30G .
History: FRM9240R | HFP60N06 | CED20P06 | FQD10N20LTF | AM7306NA | UTT6NP10L-TN4-R | IXTV96N25T
History: FRM9240R | HFP60N06 | CED20P06 | FQD10N20LTF | AM7306NA | UTT6NP10L-TN4-R | IXTV96N25T



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMTK3005L | JMTK3005C | JMTK3005B | JMTK3005A | JMTK3004A | JMTK3003A | JMTK3002B | JMTK290N06A | JMTK2007A | JMTK2006A | JMTK170N10A | JMTK160P03A | JMTK1404A1 | JMTK130P04A | JMTK120N03A | JMTK110N06A
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