HPW750N20SPA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HPW750N20SPA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 420 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.075 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-247AC
Búsqueda de reemplazo de HPW750N20SPA MOSFET
HPW750N20SPA Datasheet (PDF)
hpw750n20spa.pdf

HAOHAI ELECTRONICS HPW750N20SPAProduct Summary35A, 200VVDS200 VN-CHANNEL POWER MOSFETRDS(ON) Max.75 mFeaturesAdvanced process technologyID35 AUltra low On-Resistance175 OperatingTemperatureFast Switching2.DrainRepetitiveAvalancheAllowed up toTjmaxLead-Free1.Gate12TO-247AC33.SourceORDERING INFORMATIONPin AssignmentPackingOrder Number P
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History: RUH120N70R | SSI2N80A | AS2308 | MSAER57N10A | 40N20 | IPP80N06S2-08 | AOD254
History: RUH120N70R | SSI2N80A | AS2308 | MSAER57N10A | 40N20 | IPP80N06S2-08 | AOD254



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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