HPW750N20SPA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HPW750N20SPA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 420 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.075 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-247AC
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HPW750N20SPA
HPW750N20SPA Datasheet (PDF)
hpw750n20spa.pdf
HAOHAI ELECTRONICS HPW750N20SPAProduct Summary35A, 200VVDS200 VN-CHANNEL POWER MOSFETRDS(ON) Max.75 mFeaturesAdvanced process technologyID35 AUltra low On-Resistance175 OperatingTemperatureFast Switching2.DrainRepetitiveAvalancheAllowed up toTjmaxLead-Free1.Gate12TO-247AC33.SourceORDERING INFORMATIONPin AssignmentPackingOrder Number P
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History: HPP080NE5SPA | HQB7N65C | HPB400N06CTA | HPM3401A | HPM2305 | 40600 | IRF5305
History: HPP080NE5SPA | HQB7N65C | HPB400N06CTA | HPM3401A | HPM2305 | 40600 | IRF5305
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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