HPW750N20SPA - описание и поиск аналогов

 

HPW750N20SPA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HPW750N20SPA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm

Тип корпуса: TO-247AC

Аналог (замена) для HPW750N20SPA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HPW750N20SPA даташит

 ..1. Size:486K  cn haohai electr
 hpw750n20spa.pdf pdf_icon

HPW750N20SPA

HAOHAI ELECTRONICS HPW750N20SPA Product Summary 35A, 200V VDS 200 V N-CHANNEL POWER MOSFET RDS(ON) Max. 75 m Features Advanced process technology ID 35 A Ultra low On-Resistance 175 OperatingTemperature Fast Switching 2.Drain RepetitiveAvalancheAllowed up toTjmax Lead-Free 1.Gate 1 2 TO-247AC 3 3.Source ORDERING INFORMATION Pin Assignment Packing Order Number P

Другие MOSFET... HPM2623 , HPM3401 , HPM3401A , HPM3415 , HPMB84A , HPP080NE5SPA , HPP120N08STA , HPW080NE5SPA , 2SK3878 , HQB7N65C , HQF7N65C , IRFD24N , NCE01ND03S , NCE020N30K , NCE025N30G , NCE025N30K , NCE035N30G .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.