Справочник MOSFET. HPW750N20SPA

 

HPW750N20SPA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HPW750N20SPA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
   Тип корпуса: TO-247AC
 

 Аналог (замена) для HPW750N20SPA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HPW750N20SPA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:486K  cn haohai electr
 hpw750n20spa.pdf pdf_icon

HPW750N20SPA

HAOHAI ELECTRONICS HPW750N20SPAProduct Summary35A, 200VVDS200 VN-CHANNEL POWER MOSFETRDS(ON) Max.75 mFeaturesAdvanced process technologyID35 AUltra low On-Resistance175 OperatingTemperatureFast Switching2.DrainRepetitiveAvalancheAllowed up toTjmaxLead-Free1.Gate12TO-247AC33.SourceORDERING INFORMATIONPin AssignmentPackingOrder Number P

Другие MOSFET... HPM2623 , HPM3401 , HPM3401A , HPM3415 , HPMB84A , HPP080NE5SPA , HPP120N08STA , HPW080NE5SPA , IRFP260 , HQB7N65C , HQF7N65C , IRFD24N , NCE01ND03S , NCE020N30K , NCE025N30G , NCE025N30K , NCE035N30G .

History: IRF6218S | NCEA75H25 | HSO8810 | FQA55N10 | IRL2203NPBF | NCE65T680D | WMN14N65C4

 

 
Back to Top

 


 
.