HQB7N65C Todos los transistores

 

HQB7N65C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HQB7N65C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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HQB7N65C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:368K  cn haohai electr
 hqb7n65c hqf7n65c.pdf pdf_icon

HQB7N65C

7N65 SeriesProduct Parameter Specification7A, 650V, N-Channel Power Field Effect TransistorPackage Packing Quantity Quantity QuantityIndustrial model Poplular name HIdentificattion Method Per Tube Per Box Per CartonFQP7N65C HQB7N65C P: TO-220PHAOHAI TUBE 50Pcs 1000Pcs 5000PcsFQPF7N65C HQF7N65C F: TO-220F7N65 Series Pin AssignmentID=7A3-Lead Plastic TO-220PPackage Code: P

Otros transistores... HPM3401 , HPM3401A , HPM3415 , HPMB84A , HPP080NE5SPA , HPP120N08STA , HPW080NE5SPA , HPW750N20SPA , 12N60 , HQF7N65C , IRFD24N , NCE01ND03S , NCE020N30K , NCE025N30G , NCE025N30K , NCE035N30G , NCE035N30K .

History: SIZ342DT | NCEP85T16

 

 
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