HQB7N65C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HQB7N65C
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HQB7N65C
HQB7N65C Datasheet (PDF)
hqb7n65c hqf7n65c.pdf
7N65 SeriesProduct Parameter Specification7A, 650V, N-Channel Power Field Effect TransistorPackage Packing Quantity Quantity QuantityIndustrial model Poplular name HIdentificattion Method Per Tube Per Box Per CartonFQP7N65C HQB7N65C P: TO-220PHAOHAI TUBE 50Pcs 1000Pcs 5000PcsFQPF7N65C HQF7N65C F: TO-220F7N65 Series Pin AssignmentID=7A3-Lead Plastic TO-220PPackage Code: P
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History: HPP080NE5SPA | HPB400N06CTA | HPM3401A | HPM2305 | 40600 | IRF5305
History: HPP080NE5SPA | HPB400N06CTA | HPM3401A | HPM2305 | 40600 | IRF5305
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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