HQB7N65C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HQB7N65C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HQB7N65C

HQB7N65C Datasheet (PDF)

..1. Size:368K cn haohai electr
hqb7n65c hqf7n65c.pdf

7N65 SeriesProduct Parameter Specification7A, 650V, N-Channel Power Field Effect TransistorPackage Packing Quantity Quantity QuantityIndustrial model Poplular name HIdentificattion Method Per Tube Per Box Per CartonFQP7N65C HQB7N65C P: TO-220PHAOHAI TUBE 50Pcs 1000Pcs 5000PcsFQPF7N65C HQF7N65C F: TO-220F7N65 Series Pin AssignmentID=7A3-Lead Plastic TO-220PPackage Code: P

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Liste

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