Справочник MOSFET. HQB7N65C

 

HQB7N65C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HQB7N65C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для HQB7N65C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HQB7N65C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:368K  cn haohai electr
 hqb7n65c hqf7n65c.pdf pdf_icon

HQB7N65C

7N65 SeriesProduct Parameter Specification7A, 650V, N-Channel Power Field Effect TransistorPackage Packing Quantity Quantity QuantityIndustrial model Poplular name HIdentificattion Method Per Tube Per Box Per CartonFQP7N65C HQB7N65C P: TO-220PHAOHAI TUBE 50Pcs 1000Pcs 5000PcsFQPF7N65C HQF7N65C F: TO-220F7N65 Series Pin AssignmentID=7A3-Lead Plastic TO-220PPackage Code: P

Другие MOSFET... HPM3401 , HPM3401A , HPM3415 , HPMB84A , HPP080NE5SPA , HPP120N08STA , HPW080NE5SPA , HPW750N20SPA , 12N60 , HQF7N65C , IRFD24N , NCE01ND03S , NCE020N30K , NCE025N30G , NCE025N30K , NCE035N30G , NCE035N30K .

History: NCEP60T20A | STD60NF3L | 4N90G-T3N-T | HRP35N06K | IXFA20N85XHV | WMK9N50D1B | NVD6824NL

 

 
Back to Top

 


 
.