NCE035N30K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NCE035N30K
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 115 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 105 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 55 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 352 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET NCE035N30K
NCE035N30K Datasheet (PDF)
nce035n30k.pdf
NCE035N30Khttp://www.ncepower.comNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe NCE035N30K uses advanced trench technology andGeneral Featuresdesign to provide excellent R with low gate charge. It can V =30V,I =105ADS(ON) DS Dbe used in a wide variety of applications. R =3.0 m (typical) @ V =10VDS(ON) GSR =5.2 m (typical) @ V =4.5VApplication DS(ON) GS
nce035n30g.pdf
NCE035N30Ghttp://www.ncepower.comNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe NCE025N30G uses advanced trench technology andGeneral Featuresdesign to provide excellent R with low gate charge. It can V =30V,I =100ADS(ON) DS Dbe used in a wide variety of applications. R =3.0m (typical) @ V =10VDS(ON) GSR =5.2m (typical) @ V =4.5VApplication DS(ON) GS
nce035p40gu.pdf
http://www.ncepower.comNCE035P40GUNCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescription General FeaturesThe NCE035P40GU uses advanced trench technology and V =-40V,I =-130ADS Ddesign to provide excellent R with low gate charge. It R
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