NCE035N30K - описание и поиск аналогов

 

NCE035N30K. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NCE035N30K

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 115 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 105 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 352 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для NCE035N30K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE035N30K даташит

 ..1. Size:754K  ncepower
 nce035n30k.pdf pdf_icon

NCE035N30K

NCE035N30K http //www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE035N30K uses advanced trench technology and General Features design to provide excellent R with low gate charge. It can V =30V,I =105A DS(ON) DS D be used in a wide variety of applications. R =3.0 m (typical) @ V =10V DS(ON) GS R =5.2 m (typical) @ V =4.5V Application DS(ON) GS

 5.1. Size:751K  ncepower
 nce035n30g.pdf pdf_icon

NCE035N30K

 8.1. Size:639K  ncepower
 nce035p40gu.pdf pdf_icon

NCE035N30K

http //www.ncepower.com NCE035P40GU NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description General Features The NCE035P40GU uses advanced trench technology and V =-40V,I =-130A DS D design to provide excellent R with low gate charge. It R

Другие MOSFET... HQB7N65C , HQF7N65C , IRFD24N , NCE01ND03S , NCE020N30K , NCE025N30G , NCE025N30K , NCE035N30G , 4435 , NCE042N30K , NCE048N30Q , NCE1220SP , NCE1227SP , NCE1230SP , NCE18ND11U , NCE2004NE , NCE2006NE .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.