NCE048N30Q MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NCE048N30Q
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 220 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0095 Ohm
Encapsulados: PDFN3.3X3.3-8L
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NCE048N30Q datasheet
nce048n30q.pdf
http //www.ncepower.com NCE048N30Q NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description General Features The NCE048N30Q uses advanced trench technology and V =30V,I =45A DS D design to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) R =4.2m @ V =10V DS(ON) GS can be used in a wide variety of applications. R =7.3m @ V =4.5V DS(ON) GS Application High density ce
nce042n30k.pdf
Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE042N30K NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE042N30K uses advanced trench technology and design to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) can be used in a wide variety of applications. General Features V =30V,I =100A DS D R =3.2m @ V =10V Schematic diagram DS(ON) GS R =6.8m @ V =4.5V DS(ON)
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