NCE048N30Q - описание и поиск аналогов

 

NCE048N30Q. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NCE048N30Q

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm

Тип корпуса: PDFN3.3X3.3-8L

Аналог (замена) для NCE048N30Q

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE048N30Q даташит

 ..1. Size:810K  ncepower
 nce048n30q.pdf pdf_icon

NCE048N30Q

http //www.ncepower.com NCE048N30Q NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description General Features The NCE048N30Q uses advanced trench technology and V =30V,I =45A DS D design to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) R =4.2m @ V =10V DS(ON) GS can be used in a wide variety of applications. R =7.3m @ V =4.5V DS(ON) GS Application High density ce

 9.1. Size:776K  ncepower
 nce042n30k.pdf pdf_icon

NCE048N30Q

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE042N30K NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE042N30K uses advanced trench technology and design to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) can be used in a wide variety of applications. General Features V =30V,I =100A DS D R =3.2m @ V =10V Schematic diagram DS(ON) GS R =6.8m @ V =4.5V DS(ON)

Другие MOSFET... IRFD24N , NCE01ND03S , NCE020N30K , NCE025N30G , NCE025N30K , NCE035N30G , NCE035N30K , NCE042N30K , SKD502T , NCE1220SP , NCE1227SP , NCE1230SP , NCE18ND11U , NCE2004NE , NCE2006NE , NCE2007NS , NCE2008E .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.