NCE048N30Q - аналоги и даташиты транзистора

 

NCE048N30Q - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: NCE048N30Q
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3.3X3.3-8L
 

 Аналог (замена) для NCE048N30Q

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE048N30Q Datasheet (PDF)

 ..1. Size:810K  ncepower
 nce048n30q.pdf pdf_icon

NCE048N30Q

http://www.ncepower.comNCE048N30QNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionGeneral FeaturesThe NCE048N30Q uses advanced trench technology and V =30V,I =45ADS Ddesign to provide excellent R with low gate charge. ItDS(ON)R =4.2m @ V =10VDS(ON) GScan be used in a wide variety of applications.R =7.3m @ V =4.5VDS(ON) GSApplication High density ce

 9.1. Size:776K  ncepower
 nce042n30k.pdf pdf_icon

NCE048N30Q

Pb Free Producthttp://www.ncepower.comNCE042N30KNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe NCE042N30K uses advanced trench technology anddesign to provide excellent R with low gate charge. ItDS(ON)can be used in a wide variety of applications.General Features V =30V,I =100ADS DR =3.2m @ V =10V Schematic diagramDS(ON) GSR =6.8m @ V =4.5VDS(ON)

Другие MOSFET... IRFD24N , NCE01ND03S , NCE020N30K , NCE025N30G , NCE025N30K , NCE035N30G , NCE035N30K , NCE042N30K , IRF9540N , NCE1220SP , NCE1227SP , NCE1230SP , NCE18ND11U , NCE2004NE , NCE2006NE , NCE2007NS , NCE2008E .

History: AO3162 | WMK30N65EM | BL5N135-W | AFP3403 | IPW60R180P7 | FQI6N50TU | STI19NM65N

 

 
Back to Top

 


 
.