NCEA2309 Todos los transistores

 

NCEA2309 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NCEA2309
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 19.6 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

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NCEA2309 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:623K  ncepower
 ncea2309.pdf pdf_icon

NCEA2309

http://www.ncepower.comNCEA2309NCE Automotive P-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe NCEA2309 uses advanced trench technology and designto provide excellent R with low gate charge .This device isDS(ON)well suited for use as a load switch or in PWM applications.General Features V =-60V,I =-2.3ADS DR

 7.1. Size:598K  ncepower
 ncea2301.pdf pdf_icon

NCEA2309

http://www.ncepower.comNCEA2301NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe NCEA2301 uses advanced trench technology to provideexcellent R , low gate charge and operation with gateDS(ON)voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as aload switch or in PWM applications.General Features V = -20V,I = -3ADS DR

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History: GSM4804 | IPL65R340CFD | PHP36N06E | 2SK1988 | IPP093N06N3G | AP3P7R0EM | PSMN4R8-100PSE

 

 
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