NCEA2309 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NCEA2309
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 19.6 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
Encapsulados: SOT-23
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NCEA2309 datasheet
ncea2301.pdf
http //www.ncepower.com NCEA2301 NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCEA2301 uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and operation with gate DS(ON) voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. General Features V = -20V,I = -3A DS D R
Otros transistores... NCE65NF130T, NCE65NF130V, NCE70N290T, NCE70N380T, NCE8205B, NCE8205T, NCE8601B, NCE8651Q, 20N60, NCEA75H25, NCEAP020N60GU, NCEAP055N12D, NCEAP4075GU, NCEAP60P90AK, NCEP008NH40ASL, NCEP008NH40SL, NCEP013NH40GU
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Liste
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