Справочник MOSFET. NCEA2309

 

NCEA2309 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NCEA2309
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 19.6 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для NCEA2309

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCEA2309 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:623K  ncepower
 ncea2309.pdf pdf_icon

NCEA2309

http://www.ncepower.comNCEA2309NCE Automotive P-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe NCEA2309 uses advanced trench technology and designto provide excellent R with low gate charge .This device isDS(ON)well suited for use as a load switch or in PWM applications.General Features V =-60V,I =-2.3ADS DR

 7.1. Size:598K  ncepower
 ncea2301.pdf pdf_icon

NCEA2309

http://www.ncepower.comNCEA2301NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe NCEA2301 uses advanced trench technology to provideexcellent R , low gate charge and operation with gateDS(ON)voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as aload switch or in PWM applications.General Features V = -20V,I = -3ADS DR

Другие MOSFET... NCE65NF130T , NCE65NF130V , NCE70N290T , NCE70N380T , NCE8205B , NCE8205T , NCE8601B , NCE8651Q , 20N60 , NCEA75H25 , NCEAP020N60GU , NCEAP055N12D , NCEAP4075GU , NCEAP60P90AK , NCEP008NH40ASL , NCEP008NH40SL , NCEP013NH40GU .

History: HFS8N70U | NTMFS4851N | PSMN7R8-100PSE

 

 
Back to Top

 


 
.