NCES075R026T4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NCES075R026T4
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 176 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 750 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 21 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 56 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.8 VQgⓘ - Carga de la puerta: 94 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 151 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.034 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-247-4L
Búsqueda de reemplazo de MOSFET NCES075R026T4
NCES075R026T4 Datasheet (PDF)
nces075r026t4.pdf
PbFree ProductNCES075R026T4750V, 56A, N-channel SiC power MOSFETGeneral Description:NCES075R026T4 is a SiC MOSFET that contributes to miniaturization and lowpower consumption of applications. This product achieves industry-leading lowon-resistance without sacrificing short-circuit withstand time. This is a 4-pinpackage type with a driver source terminal that can maximize the high-
nces075r026t.pdf
PbFree ProductNCES075R026T750V, 56A, N-channel SiC power MOSFETGeneral Description:NCES075R026T is a SiC MOSFET that contributes to miniaturization and lowpower consumption of applications. This product achieves industry-leading lowon-resistance without sacrificing short-circuit withstand time.Features Low on-resistance Fast switching speed Fast reverse recovery
Otros transistores... NCEP023NH85AGU , NCEP023NH85GU , NCEP1580F , NCEP40ND80G , NCEP40T14A , NCEP60ND30AG , NCEP60ND60G , NCES075R026T , IRF1407 , NCES120P035T4 , NCES120P075T4 , NCES120R018T4 , BL10N40-A , BL10N40-D , BL10N40-P , BL10N40-U , BL10N60-A .
