NCES075R026T4 Todos los transistores

 

NCES075R026T4 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NCES075R026T4

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 176 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 750 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 21 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 56 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 151 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.034 Ohm

Encapsulados: TO-247-4L

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NCES075R026T4 datasheet

 ..1. Size:801K  ncepower
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NCES075R026T4

PbFree Product NCES075R026T4 750V, 56A, N-channel SiC power MOSFET General Description NCES075R026T4 is a SiC MOSFET that contributes to miniaturization and low power consumption of applications. This product achieves industry-leading low on-resistance without sacrificing short-circuit withstand time. This is a 4-pin package type with a driver source terminal that can maximize the high-

 2.1. Size:791K  ncepower
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NCES075R026T4

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