NCES075R026T4 Todos los transistores

 

NCES075R026T4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NCES075R026T4
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 176 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 750 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 21 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 56 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.8 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 94 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 151 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.034 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247-4L
     - Selección de transistores por parámetros

 

NCES075R026T4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:801K  ncepower
 nces075r026t4.pdf pdf_icon

NCES075R026T4

PbFree ProductNCES075R026T4750V, 56A, N-channel SiC power MOSFETGeneral Description:NCES075R026T4 is a SiC MOSFET that contributes to miniaturization and lowpower consumption of applications. This product achieves industry-leading lowon-resistance without sacrificing short-circuit withstand time. This is a 4-pinpackage type with a driver source terminal that can maximize the high-

 2.1. Size:791K  ncepower
 nces075r026t.pdf pdf_icon

NCES075R026T4

PbFree ProductNCES075R026T750V, 56A, N-channel SiC power MOSFETGeneral Description:NCES075R026T is a SiC MOSFET that contributes to miniaturization and lowpower consumption of applications. This product achieves industry-leading lowon-resistance without sacrificing short-circuit withstand time.Features Low on-resistance Fast switching speed Fast reverse recovery

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History: IRLB8721

 

 
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