NCES075R026T4 - описание и поиск аналогов

 

NCES075R026T4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NCES075R026T4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 176 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 750 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 21 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 56 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 151 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.034 Ohm

Тип корпуса: TO-247-4L

Аналог (замена) для NCES075R026T4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCES075R026T4 даташит

 ..1. Size:801K  ncepower
 nces075r026t4.pdf pdf_icon

NCES075R026T4

PbFree Product NCES075R026T4 750V, 56A, N-channel SiC power MOSFET General Description NCES075R026T4 is a SiC MOSFET that contributes to miniaturization and low power consumption of applications. This product achieves industry-leading low on-resistance without sacrificing short-circuit withstand time. This is a 4-pin package type with a driver source terminal that can maximize the high-

 2.1. Size:791K  ncepower
 nces075r026t.pdf pdf_icon

NCES075R026T4

Другие MOSFET... NCEP023NH85AGU , NCEP023NH85GU , NCEP1580F , NCEP40ND80G , NCEP40T14A , NCEP60ND30AG , NCEP60ND60G , NCES075R026T , IRF630 , NCES120P035T4 , NCES120P075T4 , NCES120R018T4 , BL10N40-A , BL10N40-D , BL10N40-P , BL10N40-U , BL10N60-A .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.