Справочник MOSFET. NCES075R026T4

 

NCES075R026T4 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NCES075R026T4
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 176 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 750 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 21 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 56 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 94 nC
   trⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 151 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.034 Ohm
   Тип корпуса: TO-247-4L

 Аналог (замена) для NCES075R026T4

 

 

NCES075R026T4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:801K  ncepower
 nces075r026t4.pdf

NCES075R026T4 NCES075R026T4

PbFree ProductNCES075R026T4750V, 56A, N-channel SiC power MOSFETGeneral Description:NCES075R026T4 is a SiC MOSFET that contributes to miniaturization and lowpower consumption of applications. This product achieves industry-leading lowon-resistance without sacrificing short-circuit withstand time. This is a 4-pinpackage type with a driver source terminal that can maximize the high-

 2.1. Size:791K  ncepower
 nces075r026t.pdf

NCES075R026T4 NCES075R026T4

PbFree ProductNCES075R026T750V, 56A, N-channel SiC power MOSFETGeneral Description:NCES075R026T is a SiC MOSFET that contributes to miniaturization and lowpower consumption of applications. This product achieves industry-leading lowon-resistance without sacrificing short-circuit withstand time.Features Low on-resistance Fast switching speed Fast reverse recovery

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top