NCES075R026T4 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: NCES075R026T4
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 176 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 750 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 21 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 56 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 22 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 151 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.034 Ohm
Тип корпуса: TO-247-4L
Аналог (замена) для NCES075R026T4
NCES075R026T4 Datasheet (PDF)
nces075r026t4.pdf
PbFree ProductNCES075R026T4750V, 56A, N-channel SiC power MOSFETGeneral Description:NCES075R026T4 is a SiC MOSFET that contributes to miniaturization and lowpower consumption of applications. This product achieves industry-leading lowon-resistance without sacrificing short-circuit withstand time. This is a 4-pinpackage type with a driver source terminal that can maximize the high-
nces075r026t.pdf
PbFree ProductNCES075R026T750V, 56A, N-channel SiC power MOSFETGeneral Description:NCES075R026T is a SiC MOSFET that contributes to miniaturization and lowpower consumption of applications. This product achieves industry-leading lowon-resistance without sacrificing short-circuit withstand time.Features Low on-resistance Fast switching speed Fast reverse recovery
Другие MOSFET... NCEP023NH85AGU , NCEP023NH85GU , NCEP1580F , NCEP40ND80G , NCEP40T14A , NCEP60ND30AG , NCEP60ND60G , NCES075R026T , IRF1407 , NCES120P035T4 , NCES120P075T4 , NCES120R018T4 , BL10N40-A , BL10N40-D , BL10N40-P , BL10N40-U , BL10N60-A .
