Аналоги NCES075R026T4. Основные параметры
Наименование производителя: NCES075R026T4
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 176 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 750 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 21 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 56 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 151 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.034 Ohm
Тип корпуса: TO-247-4L
Аналог (замена) для NCES075R026T4
NCES075R026T4 даташит
nces075r026t4.pdf
PbFree Product NCES075R026T4 750V, 56A, N-channel SiC power MOSFET General Description NCES075R026T4 is a SiC MOSFET that contributes to miniaturization and low power consumption of applications. This product achieves industry-leading low on-resistance without sacrificing short-circuit withstand time. This is a 4-pin package type with a driver source terminal that can maximize the high-
Другие MOSFET... NCEP023NH85AGU , NCEP023NH85GU , NCEP1580F , NCEP40ND80G , NCEP40T14A , NCEP60ND30AG , NCEP60ND60G , NCES075R026T , IRF630 , NCES120P035T4 , NCES120P075T4 , NCES120R018T4 , BL10N40-A , BL10N40-D , BL10N40-P , BL10N40-U , BL10N60-A .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: APP540 | APP50N06 | APG250N01Q | APG095N01K | APG095N01 | APG082N01 | APG080N12 | APG078N07K | APG078N07 | APG070N12G | APG045N85 | APG042N01D | APG038N01G | APG035N04Q | APG032N04G | APG028N10
Popular searches
13009 datasheet | 3dd15d transistor | pa110bda | 2sb1243 | a1123 transistor | skd502t datasheet | svf7n65f | 2sc1419 datasheet



