FQH44N10 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FQH44N10
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 180 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 48 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.039 Ohm
Encapsulados: TO247 TO3P TO3PF
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FQH44N10 datasheet
fqh44n10 f133.pdf
Octorber 2008 QFET FQH44N10_F133 100V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 48A, 100V, RDS(on) = 0.039 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 48 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 85 pF) This advanced technology has been especially t
fqh44n10.pdf
Octorber 2008 QFET FQH44N10_F133 100V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 48A, 100V, RDS(on) = 0.039 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 48 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 85 pF) This advanced technology has been especially t
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History: KF5N65F | AOH3106 | DSKTJ04 | SI3441BDV
History: KF5N65F | AOH3106 | DSKTJ04 | SI3441BDV
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