Справочник MOSFET. FQH44N10

 

FQH44N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQH44N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 48 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.039 Ohm
   Тип корпуса: TO247 TO3P TO3PF
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FQH44N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:974K  fairchild semi
 fqh44n10 f133.pdf pdf_icon

FQH44N10

Octorber 2008QFETFQH44N10_F133100V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 48A, 100V, RDS(on) = 0.039 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 48 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 85 pF)This advanced technology has been especially t

 ..2. Size:982K  fairchild semi
 fqh44n10.pdf pdf_icon

FQH44N10

Octorber 2008QFETFQH44N10_F133100V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 48A, 100V, RDS(on) = 0.039 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 48 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 85 pF)This advanced technology has been especially t

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: FK7SM-12 | HM4449 | KMB060N40BA | WMB115N15HG4 | IRFSL4410Z | MTDK3S6R | SSM3K15AMFV

 

 
Back to Top

 


 
.