Справочник MOSFET. FQH44N10

 

FQH44N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQH44N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 48 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.039 Ohm
   Тип корпуса: TO247 TO3P TO3PF
 

 Аналог (замена) для FQH44N10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQH44N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:974K  fairchild semi
 fqh44n10 f133.pdf pdf_icon

FQH44N10

Octorber 2008QFETFQH44N10_F133100V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 48A, 100V, RDS(on) = 0.039 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 48 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 85 pF)This advanced technology has been especially t

 ..2. Size:982K  fairchild semi
 fqh44n10.pdf pdf_icon

FQH44N10

Octorber 2008QFETFQH44N10_F133100V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 48A, 100V, RDS(on) = 0.039 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 48 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 85 pF)This advanced technology has been especially t

Другие MOSFET... IRFS450B , FQD7N30 , FQD7P06 , FQD7P20 , FQD8P10 , FQD8P10TMF085 , FQD9N25 , FQD9N25TMF085 , IRF840 , FDS4480 , FQH8N100C , FQI13N50C , FQI27N25 , FQI27N25TUF085 , FQI4N80 , IRFW630B , FQI4N90 .

History: FQPF10N50CF | IRF722

 

 
Back to Top

 


 
.