FQH8N100C MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FQH8N100C
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 225 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1000 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.45 Ohm
Encapsulados: TO247 TO3P TO3PF
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FQH8N100C datasheet
fqh8n100c.pdf
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