Справочник MOSFET. FQH8N100C

 

FQH8N100C MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FQH8N100C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 225 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 53 nC
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.45 Ohm
   Тип корпуса: TO247 TO3P TO3PF

 Аналог (замена) для FQH8N100C

 

 

FQH8N100C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:991K  fairchild semi
 fqh8n100c.pdf

FQH8N100C FQH8N100C

March 2008 QFETFQH8N100C1000V N-Channel MOSFETFeatures Description 8A, 1000V, RDS(on) = 1.45 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect Low gate charge (typical 53nC) transistors are produced using Fairchilds proprietary, planar stripe, DMOS technology. Low Crss (typical 16pF)This advanced technology has been especially tailored to

 ..2. Size:1236K  onsemi
 fqh8n100c.pdf

FQH8N100C FQH8N100C

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top