BL60N25-W MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BL60N25-W

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 420 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 305 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 560 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm

Encapsulados: TO-3PN

 Búsqueda de reemplazo de BL60N25-W MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

BL60N25-W datasheet

 ..1. Size:1413K  belling
 bl60n25-f bl60n25-w.pdf pdf_icon

BL60N25-W

BL60N25 Power MOSFET 1 Description Step-Down Converter BL60N25, the silicon N-channel Enhanced , MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications. KEY CHARACTERISTICS Pa

 9.1. Size:166K  ixys
 ixbl60n360.pdf pdf_icon

BL60N25-W

Advance Technical Information High Voltage, VCES = 3600V IXBL60N360 High Frequency, IC110 = 36A BiMOSFETTM Monolithic VCE(sat) 3.4V Bipolar MOS Transistor (Electrically Isolated Tab) ISOPLUS i5-PakTM Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 3600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 3600 V G E C VGES Continuous 20 V Isolated

Otros transistores... BL5N135-K, BL5N135-P, BL5N135-W, BL5N50-A, BL5N50-D, BL5N50-P, BL5N50-U, BL60N25-F, IRF3205, BL6N120-A, BL6N120-F, BL6N120-K, BL6N120-P, BL6N120-W, BL6N40-A, BL6N40-D, BL6N40-P