BL60N25-W. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BL60N25-W

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 420 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 305 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 560 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: TO-3PN

Аналог (замена) для BL60N25-W

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BL60N25-W даташит

 ..1. Size:1413K  belling
 bl60n25-f bl60n25-w.pdf pdf_icon

BL60N25-W

BL60N25 Power MOSFET 1 Description Step-Down Converter BL60N25, the silicon N-channel Enhanced , MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications. KEY CHARACTERISTICS Pa

 9.1. Size:166K  ixys
 ixbl60n360.pdf pdf_icon

BL60N25-W

Advance Technical Information High Voltage, VCES = 3600V IXBL60N360 High Frequency, IC110 = 36A BiMOSFETTM Monolithic VCE(sat) 3.4V Bipolar MOS Transistor (Electrically Isolated Tab) ISOPLUS i5-PakTM Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 3600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 3600 V G E C VGES Continuous 20 V Isolated

Другие IGBT... BL5N135-K, BL5N135-P, BL5N135-W, BL5N50-A, BL5N50-D, BL5N50-P, BL5N50-U, BL60N25-F, IRF3205, BL6N120-A, BL6N120-F, BL6N120-K, BL6N120-P, BL6N120-W, BL6N40-A, BL6N40-D, BL6N40-P