BLC75N120-BG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BLC75N120-BG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 187.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.6 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 63.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 17.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70.3 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263-7L

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BLC75N120-BG

BLC75N120-BG Datasheet (PDF)

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BLC75N120 Silicon Carbide Power MOSFET 1Description Step-Down Converter BLC75N120 is an N-channel enhancement type planar , MOSFET, with the revolutionary semiconductor material - silicon carbide, which has the advantages of low on-resistance, low capacitance and gate charge, and superior switching performance. The device can provide higher efficiency, faster operation f

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