Справочник MOSFET. BLC75N120-BG

 

BLC75N120-BG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BLC75N120-BG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 187.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70.3 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: TO-263-7L
 

 Аналог (замена) для BLC75N120-BG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BLC75N120-BG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1516K  belling
 blc75n120-f blc75n120-z blc75n120-bg.pdf pdf_icon

BLC75N120-BG

BLC75N120 Silicon Carbide Power MOSFET 1Description Step-Down Converter BLC75N120 is an N-channel enhancement type planar , MOSFET, with the revolutionary semiconductor material - silicon carbide, which has the advantages of low on-resistance, low capacitance and gate charge, and superior switching performance. The device can provide higher efficiency, faster operation f

Другие MOSFET... BL9N20-U , BL9N50-A , BL9N50-D , BL9N50-P , BL9N50-U , BL9N90-A , BL9N90-F , BL9N90-W , CS150N03A8 , BLC75N120-F , BLC75N120-Z , BLM03N03-D , BLM04N06-B , BLM04N06-P , BLM04N08-B , BLM04N08-P , BLM055N04-D .

History: STB10NK60Z | P7004EV | AM7304N | UTT40P04 | NCEP6060GU

 

 
Back to Top

 


 
.