BLC75N120-Z Todos los transistores

 

BLC75N120-Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BLC75N120-Z
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 187.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 17.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70.3 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247-4L
     - Selección de transistores por parámetros

 

BLC75N120-Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1516K  belling
 blc75n120-f blc75n120-z blc75n120-bg.pdf pdf_icon

BLC75N120-Z

BLC75N120 Silicon Carbide Power MOSFET 1Description Step-Down Converter BLC75N120 is an N-channel enhancement type planar , MOSFET, with the revolutionary semiconductor material - silicon carbide, which has the advantages of low on-resistance, low capacitance and gate charge, and superior switching performance. The device can provide higher efficiency, faster operation f

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IRLR3715 | FMC20N50E

 

 
Back to Top

 


 
.