BLC75N120-Z MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BLC75N120-Z

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 187.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 17.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70.3 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm

Encapsulados: TO-247-4L

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BLC75N120-Z datasheet

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 blc75n120-f blc75n120-z blc75n120-bg.pdf pdf_icon

BLC75N120-Z

BLC75N120 Silicon Carbide Power MOSFET 1 Description Step-Down Converter BLC75N120 is an N-channel enhancement type planar , MOSFET, with the revolutionary semiconductor material - silicon carbide, which has the advantages of low on- resistance, low capacitance and gate charge, and superior switching performance. The device can provide higher efficiency, faster operation f

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