Справочник MOSFET. BLC75N120-Z

 

BLC75N120-Z Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BLC75N120-Z
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 187.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 17.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70.3 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: TO-247-4L
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

BLC75N120-Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1516K  belling
 blc75n120-f blc75n120-z blc75n120-bg.pdf pdf_icon

BLC75N120-Z

BLC75N120 Silicon Carbide Power MOSFET 1Description Step-Down Converter BLC75N120 is an N-channel enhancement type planar , MOSFET, with the revolutionary semiconductor material - silicon carbide, which has the advantages of low on-resistance, low capacitance and gate charge, and superior switching performance. The device can provide higher efficiency, faster operation f

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SE4060 | ZXMN0545G4 | IPA600N25NM3S

 

 
Back to Top

 


 
.