Справочник MOSFET. BLC75N120-Z

 

BLC75N120-Z Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BLC75N120-Z
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 187.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70.3 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: TO-247-4L
 

 Аналог (замена) для BLC75N120-Z

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BLC75N120-Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1516K  belling
 blc75n120-f blc75n120-z blc75n120-bg.pdf pdf_icon

BLC75N120-Z

BLC75N120 Silicon Carbide Power MOSFET 1Description Step-Down Converter BLC75N120 is an N-channel enhancement type planar , MOSFET, with the revolutionary semiconductor material - silicon carbide, which has the advantages of low on-resistance, low capacitance and gate charge, and superior switching performance. The device can provide higher efficiency, faster operation f

Другие MOSFET... BL9N50-D , BL9N50-P , BL9N50-U , BL9N90-A , BL9N90-F , BL9N90-W , BLC75N120-BG , BLC75N120-F , IRF2807 , BLM03N03-D , BLM04N06-B , BLM04N06-P , BLM04N08-B , BLM04N08-P , BLM055N04-D , BLM05N03-D , BLM06N03-D .

History: 2SK3829

 

 
Back to Top

 


 
.