BLM04N06-P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BLM04N06-P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 210 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 150 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 760 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0042 Ohm

Encapsulados: TO-220

 Búsqueda de reemplazo de BLM04N06-P MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

BLM04N06-P datasheet

 ..1. Size:1138K  belling
 blm04n06-p blm04n06-b.pdf pdf_icon

BLM04N06-P

Green Product BLM04N06 60V N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION KEY CHARACTERISTICS The BLM04N06 uses advanced trench technology to provide V = 60V,I = 150A DS D excellent R , low gate charge. It can be used in a wide DS(ON) R

 7.1. Size:829K  belling
 blm04n08-p blm04n08-b.pdf pdf_icon

BLM04N06-P

Green Product BLM04N08 80V N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION KEY CHARACTERISTICS The BLM04N08 uses advanced trench technology to provide V = 80V,I = 200A DS D excellent R , low gate charge. It can be used in a wide DS(ON) R

Otros transistores... BL9N90-A, BL9N90-F, BL9N90-W, BLC75N120-BG, BLC75N120-F, BLC75N120-Z, BLM03N03-D, BLM04N06-B, 8N60, BLM04N08-B, BLM04N08-P, BLM055N04-D, BLM05N03-D, BLM06N03-D, BLM06N10-B, BLM06N10-P, BLM075N04-D