Справочник MOSFET. BLM04N06-P

 

BLM04N06-P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BLM04N06-P
   Маркировка: M04N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 210 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 186 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 760 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0042 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для BLM04N06-P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BLM04N06-P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1138K  belling
 blm04n06-p blm04n06-b.pdf pdf_icon

BLM04N06-P

Green Product BLM04N06 60V N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION KEY CHARACTERISTICS The BLM04N06 uses advanced trench technology to provide V = 60V,I = 150A DS Dexcellent R , low gate charge. It can be used in a wide DS(ON)R

 7.1. Size:829K  belling
 blm04n08-p blm04n08-b.pdf pdf_icon

BLM04N06-P

Green Product BLM04N08 80V N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION KEY CHARACTERISTICS The BLM04N08 uses advanced trench technology to provide V = 80V,I = 200A DS Dexcellent R , low gate charge. It can be used in a wide DS(ON)R

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFP460 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: D640 | FXN8N65D

 

 
Back to Top

 


 
.