BLM04N06-P - аналоги и даташиты транзистора

 

BLM04N06-P - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: BLM04N06-P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 210 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 760 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0042 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для BLM04N06-P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BLM04N06-P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1138K  belling
 blm04n06-p blm04n06-b.pdf pdf_icon

BLM04N06-P

Green Product BLM04N06 60V N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION KEY CHARACTERISTICS The BLM04N06 uses advanced trench technology to provide V = 60V,I = 150A DS Dexcellent R , low gate charge. It can be used in a wide DS(ON)R

 7.1. Size:829K  belling
 blm04n08-p blm04n08-b.pdf pdf_icon

BLM04N06-P

Green Product BLM04N08 80V N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION KEY CHARACTERISTICS The BLM04N08 uses advanced trench technology to provide V = 80V,I = 200A DS Dexcellent R , low gate charge. It can be used in a wide DS(ON)R

Другие MOSFET... BL9N90-A , BL9N90-F , BL9N90-W , BLC75N120-BG , BLC75N120-F , BLC75N120-Z , BLM03N03-D , BLM04N06-B , K2611 , BLM04N08-B , BLM04N08-P , BLM055N04-D , BLM05N03-D , BLM06N03-D , BLM06N10-B , BLM06N10-P , BLM075N04-D .

History: IRF1404ZLPBF | NCEP008NH40GU | GSM6202S | CJQ4800 | BSZ165N04NSG | ELM32428LA

 

 
Back to Top

 


 
.