BLM06N03-D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BLM06N03-D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 800 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm

Encapsulados: TO-252

 Búsqueda de reemplazo de BLM06N03-D MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

BLM06N03-D datasheet

 ..1. Size:495K  belling
 blm06n03-d.pdf pdf_icon

BLM06N03-D

BLM06N03 Power MOSFET 1 Description Step-Down Converter The BLM06N03 uses advanced trench , technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. KEY CHARACTERISTICS Parameter Value Unit V 30 V DS I 70 A D R .Typ 6.0 m DS(ON)@10V R .Typ 9.5 m DS(ON)@4.5V FEATURES Advanced Trench Technology

 8.1. Size:850K  belling
 blm06n10-p blm06n10-b.pdf pdf_icon

BLM06N03-D

Green Product BLM06N10 100V N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION KEY CHARACTERISTICS The BLM06N10 uses advanced trench technology to provide V = 100V,I = 140A DS D excellent R , low gate charge. It can be used in a wide R

Otros transistores... BLC75N120-Z, BLM03N03-D, BLM04N06-B, BLM04N06-P, BLM04N08-B, BLM04N08-P, BLM055N04-D, BLM05N03-D, STP65NF06, BLM06N10-B, BLM06N10-P, BLM075N04-D, BLM07N06-D, BLM07N06-P, BLM07N20-C, BLM08N06-D, BLM08N06-E