BLM06N03-D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BLM06N03-D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 800 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для BLM06N03-D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BLM06N03-D даташит

 ..1. Size:495K  belling
 blm06n03-d.pdf pdf_icon

BLM06N03-D

BLM06N03 Power MOSFET 1 Description Step-Down Converter The BLM06N03 uses advanced trench , technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. KEY CHARACTERISTICS Parameter Value Unit V 30 V DS I 70 A D R .Typ 6.0 m DS(ON)@10V R .Typ 9.5 m DS(ON)@4.5V FEATURES Advanced Trench Technology

 8.1. Size:850K  belling
 blm06n10-p blm06n10-b.pdf pdf_icon

BLM06N03-D

Green Product BLM06N10 100V N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION KEY CHARACTERISTICS The BLM06N10 uses advanced trench technology to provide V = 100V,I = 140A DS D excellent R , low gate charge. It can be used in a wide R

Другие IGBT... BLC75N120-Z, BLM03N03-D, BLM04N06-B, BLM04N06-P, BLM04N08-B, BLM04N08-P, BLM055N04-D, BLM05N03-D, STP65NF06, BLM06N10-B, BLM06N10-P, BLM075N04-D, BLM07N06-D, BLM07N06-P, BLM07N20-C, BLM08N06-D, BLM08N06-E