BLM06N10-P Todos los transistores

 

BLM06N10-P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BLM06N10-P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 211 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 140 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 770 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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BLM06N10-P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:850K  belling
 blm06n10-p blm06n10-b.pdf pdf_icon

BLM06N10-P

Green Product BLM06N10 100V N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION KEY CHARACTERISTICS The BLM06N10 uses advanced trench technology to provide V = 100V,I = 140A DS Dexcellent R , low gate charge. It can be used in a wide R

 8.1. Size:495K  belling
 blm06n03-d.pdf pdf_icon

BLM06N10-P

BLM06N03 Power MOSFET 1Description Step-Down Converter The BLM06N03 uses advanced trench , technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. KEY CHARACTERISTICS Parameter Value Unit V 30 V DSI 70 A DR .Typ 6.0 m DS(ON)@10V R .Typ 9.5 m DS(ON)@4.5V FEATURES Advanced Trench Technology

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History: AM40P03-20D | CSD75208W1015 | CSD75301W1015 | 7NM70G-TMS2-T | CSD85301Q2 | CSD75211W1723 | CSD83325L

 

 
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