BLM06N10-P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BLM06N10-P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 211 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 140 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 770 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm

Encapsulados: TO-220

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BLM06N10-P datasheet

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BLM06N10-P

Green Product BLM06N10 100V N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION KEY CHARACTERISTICS The BLM06N10 uses advanced trench technology to provide V = 100V,I = 140A DS D excellent R , low gate charge. It can be used in a wide R

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BLM06N10-P

BLM06N03 Power MOSFET 1 Description Step-Down Converter The BLM06N03 uses advanced trench , technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. KEY CHARACTERISTICS Parameter Value Unit V 30 V DS I 70 A D R .Typ 6.0 m DS(ON)@10V R .Typ 9.5 m DS(ON)@4.5V FEATURES Advanced Trench Technology

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