Справочник MOSFET. BLM06N10-P

 

BLM06N10-P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BLM06N10-P
   Маркировка: M06N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 211 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 140 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 108 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 770 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для BLM06N10-P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BLM06N10-P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:850K  belling
 blm06n10-p blm06n10-b.pdf pdf_icon

BLM06N10-P

Green Product BLM06N10 100V N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION KEY CHARACTERISTICS The BLM06N10 uses advanced trench technology to provide V = 100V,I = 140A DS Dexcellent R , low gate charge. It can be used in a wide R

 8.1. Size:495K  belling
 blm06n03-d.pdf pdf_icon

BLM06N10-P

BLM06N03 Power MOSFET 1Description Step-Down Converter The BLM06N03 uses advanced trench , technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. KEY CHARACTERISTICS Parameter Value Unit V 30 V DSI 70 A DR .Typ 6.0 m DS(ON)@10V R .Typ 9.5 m DS(ON)@4.5V FEATURES Advanced Trench Technology

Другие MOSFET... BLM04N06-B , BLM04N06-P , BLM04N08-B , BLM04N08-P , BLM055N04-D , BLM05N03-D , BLM06N03-D , BLM06N10-B , MMIS60R580P , BLM075N04-D , BLM07N06-D , BLM07N06-P , BLM07N20-C , BLM08N06-D , BLM08N06-E , BLM08N06-P , BLM08N10-B .

History: FQPF6P25 | PPMT20V4E

 

 
Back to Top

 


 
.