Справочник MOSFET. BLM06N10-P

 

BLM06N10-P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BLM06N10-P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 211 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 140 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 770 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

BLM06N10-P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:850K  belling
 blm06n10-p blm06n10-b.pdf pdf_icon

BLM06N10-P

Green Product BLM06N10 100V N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION KEY CHARACTERISTICS The BLM06N10 uses advanced trench technology to provide V = 100V,I = 140A DS Dexcellent R , low gate charge. It can be used in a wide R

 8.1. Size:495K  belling
 blm06n03-d.pdf pdf_icon

BLM06N10-P

BLM06N03 Power MOSFET 1Description Step-Down Converter The BLM06N03 uses advanced trench , technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. KEY CHARACTERISTICS Parameter Value Unit V 30 V DSI 70 A DR .Typ 6.0 m DS(ON)@10V R .Typ 9.5 m DS(ON)@4.5V FEATURES Advanced Trench Technology

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: FS14SM-16A | SIHG47N60S | AFN4172WS | 9N95 | IPD050N03LG | SSFD3004 | HGI110N08AL

 

 
Back to Top

 


 
.