BLM07N20-C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BLM07N20-C
   Código: M07N20
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 500 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 155 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 527 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 335 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1780 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-264

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BLM07N20-C

BLM07N20-C Datasheet (PDF)

..1. Size:919K belling
blm07n20-c.pdf

BLM07N20Power MOSFET1. DescriptionAdvantagesBLM07N20 uses advanced trench technology anddesign to provide excellent R with low gateDS(ON)charge. It can be used in a wide variety ofapplications.Key CharacteristicsParameter Value UnitV 200 VDS@Tj.maxI 155 ADR 6.5 mDS(ON).TypFeatures High power and current handing capability Lead free product

8.1. Size:1125K belling
blm07n06-p blm07n06-d.pdf

Green Product BLM07N06 60V N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION KEY CHARACTERISTICS The BLM07N06 uses advanced trench technology to provide V = 60V,I = 95A DS Dexcellent R , low gate charge. It can be used in a wide R

9.1. Size:534K belling
blm075n04-d.pdf

BLM075N04 Power MOSFET 1Description Step-Down Converter The BLM075N04 uses advanced trench , technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. KEY CHARACTERISTICS Parameter Value Unit V 40 V DSI 60 A DR .Typ 5.4 m DS(ON)@10V R .Typ 7.8 m DS(ON)@4.5V FEATURES Advanced Trench Technolog

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: