BLM10P03-E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BLM10P03-E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 430 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8

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BLM10P03-E Datasheet (PDF)

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blm10p03-d blm10p03-e blm10p03-q blm10p03-r.pdf

BLM10P03Power MOSFET1. DescriptionAdvantagesBLM10P03 uses advanced trench technologyand design to provide excellent R with lowDS(ON)gate charge. It can be used in a wide variety ofapplications.Key CharacteristicsParameter Value UnitV -30 VDSI -52 AD(TO-252)R 7 mDS(ON)@10V.TypR 10 mDS(ON)@4.5V.TypPin1FeaturesTO-252 Top View SOP-8 Top V

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History: BLM2010E | BS250F

Liste

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