Справочник MOSFET. BLM10P03-E

 

BLM10P03-E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BLM10P03-E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 430 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для BLM10P03-E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BLM10P03-E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1517K  belling
 blm10p03-d blm10p03-e blm10p03-q blm10p03-r.pdf pdf_icon

BLM10P03-E

BLM10P03Power MOSFET1. DescriptionAdvantagesBLM10P03 uses advanced trench technologyand design to provide excellent R with lowDS(ON)gate charge. It can be used in a wide variety ofapplications.Key CharacteristicsParameter Value UnitV -30 VDSI -52 AD(TO-252)R 7 mDS(ON)@10V.TypR 10 mDS(ON)@4.5V.TypPin1FeaturesTO-252 Top View SOP-8 Top V

Другие MOSFET... BLM08N06-E , BLM08N06-P , BLM08N10-B , BLM08N10-P , BLM08N68-P , BLM08P02-E , BLM08P02-R , BLM10P03-D , AO4468 , BLM10P03-Q , BLM10P03-R , BLM12N08-B , BLM12N08-D , BLM12N08-P , BLM12P03-R , BLM14N08-D , BLM14N08-P .

 

 
Back to Top

 


 
.