BLM22N10-P Todos los transistores

 

BLM22N10-P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BLM22N10-P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 182 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

 Búsqueda de reemplazo de BLM22N10-P MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

BLM22N10-P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:847K  belling
 blm22n10-p blm22n10-d.pdf pdf_icon

BLM22N10-P

Green Product BLM22N10 100V N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION KEY CHARACTERISTICS The BLM22N10 uses advanced trench technology to provide V = 100V,I = 50A DS Dexcellent R , low gate charge. It can be used in a wide R

Otros transistores... BLM12N08-D , BLM12N08-P , BLM12P03-R , BLM14N08-D , BLM14N08-P , BLM16N10-D , BLM16N10-P , BLM22N10-D , IRF640 , BLM30DN06L-E , BLM4407 , BLM80P10-D , BLM80P10-P , BLM8205B , BLM8205E-G , BLM8205E-J , BLP012N08-T .

History: APM4474K | JCS4N80F | 2SK2935 | PJN1NA60A | TK40J60U | 2SK3147L | IRFBG30PBF

 

 
Back to Top

 


 
.