Справочник MOSFET. BLM22N10-P

 

BLM22N10-P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BLM22N10-P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 182 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для BLM22N10-P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BLM22N10-P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:847K  belling
 blm22n10-p blm22n10-d.pdf pdf_icon

BLM22N10-P

Green Product BLM22N10 100V N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION KEY CHARACTERISTICS The BLM22N10 uses advanced trench technology to provide V = 100V,I = 50A DS Dexcellent R , low gate charge. It can be used in a wide R

Другие MOSFET... BLM12N08-D , BLM12N08-P , BLM12P03-R , BLM14N08-D , BLM14N08-P , BLM16N10-D , BLM16N10-P , BLM22N10-D , IRF640 , BLM30DN06L-E , BLM4407 , BLM80P10-D , BLM80P10-P , BLM8205B , BLM8205E-G , BLM8205E-J , BLP012N08-T .

History: AP9585GJ | AP2305N-HF | PJP10NA60 | AP95T10AGI-HF | APM9926 | STW30NM60D

 

 
Back to Top

 


 
.