BLM30DN06L-E Todos los transistores

 

BLM30DN06L-E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BLM30DN06L-E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 76 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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BLM30DN06L-E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:911K  belling
 blm30dn06l-e.pdf pdf_icon

BLM30DN06L-E

BLM30DN06LPower MOSFET1. DescriptionAdvantagesBLM30DN06L uses advanced trench technologyand design to provide excellent R with lowDS(ON)gate charge. It can be used in a wide variety ofapplications.Key CharacteristicsParameter Value UnitV 60 VDSI 6 ADR 30 mDS(ON)@10V.TypFeatures High power and current handing capability Lead free product

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History: CSD87331Q3D | P3304QV | BL4N80A-D | IXTA1N170DHV | APQ57SN10B | NCEP088NH150GU | AM4362N

 

 
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