BLM30DN06L-E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BLM30DN06L-E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 76 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для BLM30DN06L-E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BLM30DN06L-E даташит

 ..1. Size:911K  belling
 blm30dn06l-e.pdf pdf_icon

BLM30DN06L-E

BLM30DN06L Power MOSFET 1. Description Advantages BLM30DN06L uses advanced trench technology and design to provide excellent R with low DS(ON) gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Key Characteristics Parameter Value Unit V 60 V DS I 6 A D R 30 m DS(ON)@10V .Typ Features High power and current handing capability Lead free product

Другие IGBT... BLM12N08-P, BLM12P03-R, BLM14N08-D, BLM14N08-P, BLM16N10-D, BLM16N10-P, BLM22N10-D, BLM22N10-P, IRFZ44, BLM4407, BLM80P10-D, BLM80P10-P, BLM8205B, BLM8205E-G, BLM8205E-J, BLP012N08-T, BLP021N10-T