BLM80P10-D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BLM80P10-D
   Código: M80P10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 59.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 55 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 67 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.096 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BLM80P10-D

BLM80P10-D Datasheet (PDF)

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blm80p10-d blm80p10-p.pdf

BLM80P10 Power MOSFET 1Description Step-Down Converter The BLM80P10 uses advanced trench technology , to provide excellent RDS(ON), low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. KEY CHARACTERISTICS Parameter Value Unit V -100 V DSI -20 A DR .TYP 80 m DS(ON)@10V FEATURES High power and current handing capability Lead free p

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Liste

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