BLM80P10-D Todos los transistores

 

 

BLM80P10-D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BLM80P10-D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 59.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 67 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.096 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

 Búsqueda de reemplazo de BLM80P10-D MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

 

BLM80P10-D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:640K  belling
 blm80p10-d blm80p10-p.pdf pdf_icon

BLM80P10-D

BLM80P10 Power MOSFET 1Description Step-Down Converter The BLM80P10 uses advanced trench technology , to provide excellent RDS(ON), low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. KEY CHARACTERISTICS Parameter Value Unit V -100 V DSI -20 A DR .TYP 80 m DS(ON)@10V FEATURES High power and current handing capability Lead free p

Otros transistores... BLM14N08-D , BLM14N08-P , BLM16N10-D , BLM16N10-P , BLM22N10-D , BLM22N10-P , BLM30DN06L-E , BLM4407 , IRF1404 , BLM80P10-P , BLM8205B , BLM8205E-G , BLM8205E-J , BLP012N08-T , BLP021N10-T , BLP022N10-BA , BLP023N10-B .

History: SFP043N100C3 | HY3606B | NCEA60ND08S | NCEP065N10 | SQS484ENW

 

 
Back to Top

 


 
.