BLM80P10-D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BLM80P10-D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 59.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 67 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.096 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для BLM80P10-D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BLM80P10-D даташит

 ..1. Size:640K  belling
 blm80p10-d blm80p10-p.pdf pdf_icon

BLM80P10-D

BLM80P10 Power MOSFET 1 Description Step-Down Converter The BLM80P10 uses advanced trench technology , to provide excellent RDS(ON), low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. KEY CHARACTERISTICS Parameter Value Unit V -100 V DS I -20 A D R .TYP 80 m DS(ON)@10V FEATURES High power and current handing capability Lead free p

Другие IGBT... BLM14N08-D, BLM14N08-P, BLM16N10-D, BLM16N10-P, BLM22N10-D, BLM22N10-P, BLM30DN06L-E, BLM4407, IRF1404, BLM80P10-P, BLM8205B, BLM8205E-G, BLM8205E-J, BLP012N08-T, BLP021N10-T, BLP022N10-BA, BLP023N10-B