BLM80P10-P Todos los transistores

 

BLM80P10-P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BLM80P10-P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 59.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 67 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.096 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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BLM80P10-P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:640K  belling
 blm80p10-d blm80p10-p.pdf pdf_icon

BLM80P10-P

BLM80P10 Power MOSFET 1Description Step-Down Converter The BLM80P10 uses advanced trench technology , to provide excellent RDS(ON), low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. KEY CHARACTERISTICS Parameter Value Unit V -100 V DSI -20 A DR .TYP 80 m DS(ON)@10V FEATURES High power and current handing capability Lead free p

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History: SSF2N60F | WFW24N50W | HM80N80B | STW28NM50N | AP50WN520I | STW15NK90Z | 2SK3376MFV

 

 
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