BLM80P10-P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BLM80P10-P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 59.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 67 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.096 Ohm

Encapsulados: TO-220

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BLM80P10-P datasheet

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BLM80P10-P

BLM80P10 Power MOSFET 1 Description Step-Down Converter The BLM80P10 uses advanced trench technology , to provide excellent RDS(ON), low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. KEY CHARACTERISTICS Parameter Value Unit V -100 V DS I -20 A D R .TYP 80 m DS(ON)@10V FEATURES High power and current handing capability Lead free p

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